我国集成电路制造设备主要依赖进口，每年需要花费上千亿美元外汇。记者日前从北京市科委获悉，北京市牵头组织的国家中长期科技发展规划重大专项、国产“90-65纳米大角度离子注入机”实现产业化，一举打破了国外对高端集成电路制造装备的技术垄断，取得千亿美元市场的“入场券”。

 “90-65纳米大角度离子注入机”，是“极大规模集成电路制造装备及成套工艺”重大专项(“02重大专项”)的重要成果。这也是国家中长期科技发展规划中惟一由地方政府牵头组织实施的重大专项。

据介绍，离子注入机是集成电路制造前期工序中的关键设备，也是集成电路制造工艺中必不可少的关键装备——离子注入是对半导体表面附近区域进行掺杂的技术，其目的是改变半导体的导电类型，为制作芯片打好“地基”。此前，我国生产的离子注入机，仅能满足8英寸硅盘的1000纳米离子注入。

在通州光机电一体化产业基地，耗费5年时间研发并实现产业化的“90-65纳米大角度离子注入机”不但适用于12英寸的集成电路板生产，离子注入的电路线宽度还进一步降低到了90-65纳米。这为制造电路更密集、芯片更微型的高端集成电路提供了100%国产设备。

集成电路产业是高新技术最高端、最密集的行业之一。我国是世界上最大的集成电路产品应用市场，占据全球市场40%的份额。但长期以来，从集成电路制造工艺到装备，再到材料，我国每年进口额都在千亿美元以上。

负责此次研制的是中国电子科技集团下属北京中科信电子装备公司。有关负责人告诉记者，这标志着中国集成电路装备打破了国外装备的垄断，走出了一条由国产零配件组成、自主研制的国产装备产业化道路，实现了“02重大专项”突破核心技术、开发关键产品、构建创新体系、培育产业化基础等一系列阶段目标。这也意味着，今后制造手机、电脑等高端集成电路芯片等，成本与价格都有大幅度下降。

目前，成品设备已经进入批量生产阶段，并且进入集成电路制造龙头企业中芯国际公司等。这一专项成果与北京市发展高端制造业等产业发展、结构调整政策紧密结合在一起，用技术创新推动产业结构升级。

另据介绍，更先进的“45-22纳米/12英寸低能大束流离子注入机”，目前也正在加紧研制中，预计在2014年研制出成品机。届时，本市在高端集成电路制造产业中将达到国际领先水平，进一步发挥产业龙头作用。

来源：北京日报